Itrium(II) oksidaReferensi
- ↑ Kenichi Kaminaga; Ryosuke Sei; Kouichi Hayashi; Naohisa Happo; Hiroo Tajiri; Daichi Oka; Tomoteru Fukumura; Tetsuya Hasegawa (2016). "A divalent rare earth oxide semiconductor: Yttrium monoxide". Appl. Phys. Lett. (dalam bahasa Inggris). 108 (122102). Applied Physics Letters: 122102. Bibcode:2016ApPhL.108l2102K. doi:10.1063/1.4944330.
|
|---|
| Bilangan oksidasi campuran | |
|---|
| Bilangan oksidasi +1 | |
|---|
| Bilangan oksidasi +2 | |
|---|
| Bilangan oksidasi +3 | |
|---|
| Bilangan oksidasi +4 | |
|---|
| Bilangan oksidasi +5 | |
|---|
| Bilangan oksidasi +6 | |
|---|
| Bilangan oksidasi +7 | |
|---|
| Bilangan oksidasi +8 | |
|---|
| Terkait | |
|---|
|